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NTMFS4D2N10MDT1G
MOSFET di potenza, canale N, 100 V, 113 A, 3800 µohm, DFN, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 1,460 |
| 500+ | € 1,280 |
| 1000+ | € 1,250 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTMFS4D2N10MDT1G
Codice Prodotto3677730RL
Datasheet tecnico
Polarità Transistorcanale N
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id113A
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.0038ohm
Resistenza Drain-Source in conduzione3800µohm
Stile di Case del TransistorDFN
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza132W
Dissipazione di Potenza Pd132W
Numero di pin5Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
canale N
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.0038ohm
Stile di Case del Transistor
DFN
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
132W
Numero di pin
5Pin
Gamma di prodotti
-
Standard di Qualifica Automotive
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
113A
Resistenza Drain-Source in conduzione
3800µohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Dissipazione di Potenza Pd
132W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0001
Tracciabilità del prodotto