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NTMFS015N10MCLT1G
MOSFET di potenza, canale N, 100 V, 54 A, 9700 µohm, DFN, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTMFS015N10MCLT1G
Codice Prodotto3528505RL
Datasheet tecnico
Polarità Transistorcanale N
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id54A
Resistenza Drain-Source in conduzione9700µohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.0097ohm
Stile di Case del TransistorDFN
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.5V
Dissipazione di potenza79W
Dissipazione di Potenza Pd79W
Numero di pin5Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
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Specifiche tecniche
Polarità Transistor
canale N
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza Drain-Source in conduzione
9700µohm
Stile di Case del Transistor
DFN
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
79W
Numero di pin
5Pin
Gamma di prodotti
-
Standard di Qualifica Automotive
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
54A
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.0097ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.5V
Dissipazione di Potenza Pd
79W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0034
Tracciabilità del prodotto