Stampa pagina
NTHL080N120SC1A
MOSFET al carburo di silicio, EliteSiC, configurazione singola, canale N, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTHL080N120SC1A
Codice Prodotto3528502
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
568 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 8,890 |
| 5+ | € 8,340 |
| 10+ | € 7,790 |
| 50+ | € 5,920 |
| 100+ | € 5,670 |
| 250+ | € 5,420 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 8,89 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTHL080N120SC1A
Codice Prodotto3528502
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id31A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.08ohm
Stile di Case del TransistorTO-247
Numero di pin3Pin
Tensione di test di Rds(on)20V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.7V
Dissipazione di potenza178W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiEliteSiC Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
NTHL080N120SC1A is an EliteSiC, 80mohm, 1200V, M1, silicon carbide (SiC) MOSFET. The applications include a UPS, DC-DC converter, and boost inverter.
- 100% UIL tested
- Drain-to-source on resistance is 80mohm typ (VGS = 20 V, ID = 20 A, TJ = 25°C)
- Total gate charge is 56nC typ (VGS = -5/20V, VDS = 600V, ID = 20A)
- Output capacitance is 80pF typ (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 800V)
- Continuous drain-to-source diode forward current is 18A max (VGS = -5V, TJ = 25°C)
- Power dissipation is 178W (TC = 25°C), pulsed drain current is 132A (TA = 25°C)
- Gate resistance is 1.7ohm typ (f = 1MHz)
- Turn-on delay time is 13ns typ (VGS = -5/20V, VDS = 800V, ID = 20A, RG = 4.7, inductive load)
- Total switching loss is 311µJ typ (VGS = -5/20V, VDS = 800V, ID = 20A, RG = 4.7, inductive load)
- TO-247-3LD package, operating junction temperature range from -55 to +175°C
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
31A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.08ohm
Numero di pin
3Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.7V
Temperatura di esercizio max
175°C
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
TO-247
Tensione di test di Rds(on)
20V
Dissipazione di potenza
178W
Gamma di prodotti
EliteSiC Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Prodotti associati
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.005
Tracciabilità del prodotto