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NTHL060N090SC1
MOSFET al carburo di silicio, EliteSiC, configurazione singola, canale N, 46 A, 900 V, 0.06 ohm
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ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTHL060N090SC1
Codice Prodotto3367856
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTHL060N090SC1
Codice Prodotto3367856
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id46A
Tensione Drain Source Vds900V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.06ohm
Stile di Case del TransistorTO-247
Numero di pin3Pin
Tensione di test di Rds(on)15V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.7V
Dissipazione di potenza221W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiEliteSiC Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
L'NTHL060N090SC1 è un MOSFET al carburo di silicio (SiC) EliteSiC. Le applicazioni tipiche sono i gruppi di continuità UPS, i convertitori DC-DC e gli invertitori boost.
- Testato UIL al 100%
- Bassa capacità effettiva in uscita (tip. Coss= 113pF)
- RDS(on) tipica = 60mohm a VGS = 15V
- Bassissima carica di gate (QG(tot) tipica = 87nC)
- Tensione drain-source: 900V a TJ = 25°C
- Tensione gate-source: +22/-8V a TJ = 25°C
- Temperatura di esercizio di giunzione e a scaffale: da -55 a +175°C
- Package TO-247-3LD
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
46A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.06ohm
Numero di pin
3Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.7V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
900V
Stile di Case del Transistor
TO-247
Tensione di test di Rds(on)
15V
Dissipazione di potenza
221W
Gamma di prodotti
EliteSiC Series
Documenti tecnici (2)
Prodotti associati
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002
Tracciabilità del prodotto