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NTH4L015N065SC1
MOSFET al carburo di silicio, EliteSiC, configurazione singola, canale N, 142 A, 650 V, 0.012 ohm
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ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTH4L015N065SC1
Codice Prodotto3766205
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
195 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTH4L015N065SC1
Codice Prodotto3766205
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id142A
Tensione Drain Source Vds650V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.012ohm
Stile di Case del TransistorTO-247
Numero di pin4Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.5V
Dissipazione di potenza500W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiEliteSiC Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
142A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.012ohm
Numero di pin
4Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.5V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
650V
Stile di Case del Transistor
TO-247
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
500W
Gamma di prodotti
EliteSiC Series
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Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0004
Tracciabilità del prodotto