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NTBG020N090SC1
MOSFET al carburo di silicio, EliteSiC, configurazione singola, canale N, 112 A, 900 V, 0.02 ohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTBG020N090SC1
Codice Prodotto3367849
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
727 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTBG020N090SC1
Codice Prodotto3367849
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id112A
Tensione Drain Source Vds900V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.02ohm
Stile di Case del TransistorTO-263 (D2PAK)
Numero di pin7Pin
Tensione di test di Rds(on)15V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.6V
Dissipazione di potenza477W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiEliteSiC Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
L'NTBG020N090SC1 è un Sic MOSFET al carburo di silicio EliteSiC che utilizza una tecnologia completamente nuova, che offre prestazioni di commutazione superiori e un'affidabilità più elevata rispetto al silicio. In aggiunta, la bassa resistenza di conduzione e le misure compatte del chip garantiscono bassa capacità e carica di gate. Grazie a queste caratteristiche, il sistema offre un'altissima efficienza, una frequenza operativa più rapida, maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni di sistema inferiori. Le applicazioni includono i convertitori DC-DC, invertitori boost e gruppi di continuità.
- Bassa RDSon, bassissima carica di gate (Qg tot), bassa capacità di uscita (Coss)
- Testato UIL al 100%
- Tensione di rottura drain-source: 900V min a VGS = 0V, ID = 1mA, TJ = 25°C)
- Corrente di drain a tensione di gate nulla: 100µA max a VGS = 0V, TJ = 25°C
- Tensione di soglia gate: 2,6V tipica a VGS = VDS, ID = 20mA, TJ = 25°C
- Resistenza di conduzione drain-source: 20mohm tip. a VGS = 15V, ID = 60A, TJ = 25°C)
- Carica di gate totale: 200nC tip. a VGS = -5/15V, VDS = 720V, ID = 60A, TJ = 25°C)
- Tempo di salita: 52ns, tempo di discesa: 13ns a VGS = -5/15V, VDS = 720V, ID = 60A, RG = 2,5ohm, carico induttivo
- Temperatura di esercizio di giunzione e a scaffale: da -55 a +175°C
- Package D2PAK-7L
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
112A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.02ohm
Numero di pin
7Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.6V
Temperatura di esercizio max
175°C
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
900V
Stile di Case del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensione di test di Rds(on)
15V
Dissipazione di potenza
477W
Gamma di prodotti
EliteSiC Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Prodotti associati
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0004
Tracciabilità del prodotto