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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNSVJ6904DSB6T1G
Codice Prodotto2981215
Datasheet tecnico
Massima tensione di rottura Gate-Source-25V
Corrente Drain Min a Tensione Gate Nulla Idss20mA
Massima corrente di drain a tensione di gate zero40mA
Massima tensione di cutoff Gate-Source-1.8V
Stile di Case del TransistorCPH
Numero di Pin6 Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Tipo di TransistorJFET
Tipo di canalecanale N
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
Avvertenze
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Specifiche tecniche
Massima tensione di rottura Gate-Source
-25V
Massima corrente di drain a tensione di gate zero
40mA
Stile di Case del Transistor
CPH
Temperatura di esercizio max
150°C
Tipo di canale
canale N
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Corrente Drain Min a Tensione Gate Nulla Idss
20mA
Massima tensione di cutoff Gate-Source
-1.8V
Numero di Pin
6 Pin
Tipo di Transistor
JFET
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001361