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NSVF4009SG4T1G
Transistore RF bipolare, NPN, 3.5 V, 25 GHz, 120 mW, 40 mA, MCPH
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| Quantità | |
|---|---|
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNSVF4009SG4T1G
Codice Prodotto3616998
Datasheet tecnico
Polarità TransistorNPN
Massima tensione Collettore-Emettitore3.5V
Frequenza di transizione25GHz
Dissipazione di potenza120mW
Corrente di Collettore continua40mA
Stile di Case del TransistorMCPH
Numero di pin4Pin
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo50hFE
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
NPN
Frequenza di transizione
25GHz
Corrente di Collettore continua
40mA
Numero di pin
4Pin
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Massima tensione Collettore-Emettitore
3.5V
Dissipazione di potenza
120mW
Stile di Case del Transistor
MCPH
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo
50hFE
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.1
Tracciabilità del prodotto