NDT3055L
MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, montaggio superficiale (SMT)
Ti serve altro?
| Quantità | |
|---|---|
| 5+ | € 1,150 |
| 50+ | € 0,827 |
| 250+ | € 0,618 |
| 1000+ | € 0,440 |
| 2000+ | € 0,431 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
L&'92;NDT3055L è un MOSFET stampato potenziato a livello logico con canale N, che fa uso di una tecnologia DMOS con alta densità di celle. Questo processo a densità molto alta è stato creato su misura per minimizzare la resistenza in stato on, offrire una prestazione di switching migliore e sopportare gli impulsi di energia nelle modalità di commutazione e valanga. Questi dispositivi sono particolarmente indicati per le applicazioni a bassa tensione come i convertitori DC/DC, i controlli motore PWM e altri circuiti alimentati a batteria dove è fondamentale avere un switching rapido, una perdita di potenza in-line ridotta e una resistenza ai transitori.
- Design ad alta densità di celle per RDS molto bassi (ON)
- Capacità di tenuta di corrente e potenza elevate
- I bassi requisiti di drive permettono un funzionamento diretto con i driver logici
Specifiche tecniche
canale N
4A
SOT-223
10V
3W
150°C
-
Lead (27-Jun-2024)
60V
0.1ohm
montaggio superficiale (SMT)
1.6V
4Pin
-
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per NDT3055L
5 prodotti trovati
Prodotti associati
8 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto