Stampa pagina
NDT2955
MOSFET di potenza, canale P, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
30 334 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 5+ | € 0,862 |
| 50+ | € 0,587 |
| 250+ | € 0,401 |
| 1000+ | € 0,296 |
| 2000+ | € 0,274 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 5
Più: 5
€ 4,31 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNDT2955
Codice Prodotto9846271
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id2.5A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.3ohm
Stile di Case del TransistorSOT-223
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.6V
Dissipazione di potenza3W
Numero di pin4Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The NDT2955 is a surface mount, 60V P channel enhancement mode field effect transistors in SOT-223 package. Transistor is produced using high voltage trench process and suitable for power management applications.
- High density cell design for extremely low Rds(ON)
- Drain to source voltage (Vds) of -60V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of -2.5A
- Power dissipation (pd) of 3W
- Low on state resistance of 163mohm at Vgs -4.5V
- Operating temperature range -55°C to 150°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
2.5A
Stile di Case del Transistor
SOT-223
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
3W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.3ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.6V
Numero di pin
4Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Prodotti associati
5 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000199
Tracciabilità del prodotto