Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
15 304 A Stock
12 000 Puoi prenotare le disponibilità ora
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
Quantità | |
---|---|
5+ | € 0,553 |
50+ | € 0,406 |
100+ | € 0,280 |
500+ | € 0,219 |
1500+ | € 0,190 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 5
Più: 5
€ 2,76 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNDS332P
Codice Prodotto1471069
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds20V
Corrente Continua di Drain Id1A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.3ohm
Stile di Case del TransistorSuperSOT
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)4.5V
Tensione di soglia Gate-Source massima600mV
Dissipazione di potenza500mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
NDS332P è un FET di potenza ad arricchimento di livello logico a canale P che utilizza la tecnologia DMOS ad alta concentrazione di celle. Questo processore ad altissima densità è fatto su misura per minimizzare la resistenza in stato ON. È particolarmente indicato per le applicazioni a bassa tensione come i circuiti a batteria, dove si richiedono la commutazione high-side rapida e basse perdite di potenza in-line in un package SMD dal profilo molto ridotto.
- I requisiti di gate drive di livello molto basso permettono un azionamento diretto
- Design del package brevettato con lead-frame di rame per capacità elettriche e termiche superiori
- Design ad alta densità di celle per RDS molto bassi (ON)
- Eccezionale resistenza in stato ON e massima capacità di corrente DC
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
1A
Stile di Case del Transistor
SuperSOT
Tensione di test di Rds(on)
4.5V
Dissipazione di potenza
500mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
20V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.3ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
600mV
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto