NDS331N
MOSFET di potenza, canale N, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
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Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
NDS331N è un transistore a effetto di campo ad arricchimento di livello logico con canale N che sfrutta una tecnologia DMOS ad alta densità di celle. Questo processore ad altissima densità è fatto su misura per minimizzare la resistenza on-state. Adatto per le applicazioni a bassa tensione nelle schede PCMCIA e negli altri circuiti a batteria, dove si richiedono commutazione rapida e bassa perdita di potenza in-line in un package a montaggio superficiale dal profilo molto piccolo.
- Design ad alta densità di celle per RDS molto bassi (ON)
- Eccezionale su resistenza e massima capacità di corrente DC
Avvertenze
La domanda del mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna, le date di consegna possono variare.
Specifiche tecniche
canale N
1.3A
SuperSOT
4.5V
500mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
20V
0.16ohm
montaggio superficiale (SMT)
700mV
3Pin
-
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto