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MUN5311DW1T1G
Transistore digitale/prepolariz bipolare, BRT, NPN e PNP complementare, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
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| Quantità | |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreMUN5311DW1T1G
Codice Prodotto2317908
Datasheet tecnico
Polarità TransistorNPN e PNP complementare
Tensione collettore-emettitore max NPN50V
Tensione collettore-emettitore max PNP50V
Corrente di Collettore continua100mA
Resistore R1 di Ingresso Base10kohm
Resistore base-emettitore (R2)10kohm
Stile di Case del TransistorSOT-363
Numero di Pin6 Pin
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Dissipazione di potenza385mW
Temperatura di esercizio max150°C
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo35hFE
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
MUN5311DW1T1G è un doppio transistore digitale NPN-PNP progettato per sostituire un dispositivo singolo e la sua rete di bias di resistori esterni. Il Bias Resistor Transistor (BRT) è costituito da un transistore singolo con una rete di bias monolitica formata da due resistori, un resistore serie base e un resistore base emettitore. Il BRT elimina questi componenti individuali e li integra in un unico dispositivo.
- Semplifica la progettazione dei circuiti
- Riduce lo spazio occupato sulla scheda
- Riduce il numero dei componenti
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
NPN e PNP complementare
Tensione collettore-emettitore max PNP
50V
Resistore R1 di Ingresso Base
10kohm
Stile di Case del Transistor
SOT-363
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Temperatura di esercizio max
150°C
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione collettore-emettitore max NPN
50V
Corrente di Collettore continua
100mA
Resistore base-emettitore (R2)
10kohm
Numero di Pin
6 Pin
Dissipazione di potenza
385mW
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo
35hFE
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Alternative per MUN5311DW1T1G
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000063
Tracciabilità del prodotto