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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreMMUN2233LT1G
Codice Prodotto2317870
Datasheet tecnico
Polarità Transistorsingolo NPN
Tensione collettore-emettitore max NPN50V
Tensione collettore-emettitore max PNP-
Corrente di Collettore continua100mA
Resistore R1 di Ingresso Base4.7kohm
Resistore base-emettitore (R2)47kohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Numero di Pin3 Pin
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Dissipazione di potenza400mW
Temperatura di esercizio max150°C
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo80hFE
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
MMUN2233LT1G is an MMUN2233L series NPN transistor with a monolithic bias resistor network digital transistor. It is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.
- Simplifies circuit design, reduces board space, reduces component count
- Collector-base voltage is 50VDC max (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- Collector-emitter voltage is 50VDC max (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- Collector current - continuous is 100mAdc max (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- Input forward voltage is 30VDC max (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- Input reverse voltage is 5VDC max (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- Total device dissipation is 230mW max (TA = 25°C)
- DC current gain is 200 (IC = 5.0mA, VCE = 10V, TA = 25°C)
- Input resistor range from 3.3 to 6.1kohm (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- SOT-23 package, junction temperature range from -55 to +150°C
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
singolo NPN
Tensione collettore-emettitore max PNP
-
Resistore R1 di Ingresso Base
4.7kohm
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Temperatura di esercizio max
150°C
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione collettore-emettitore max NPN
50V
Corrente di Collettore continua
100mA
Resistore base-emettitore (R2)
47kohm
Numero di Pin
3 Pin
Dissipazione di potenza
400mW
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo
80hFE
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Alternative per MMUN2233LT1G
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000033
Tracciabilità del prodotto