Stampa pagina
MMUN2133LT1G
Transistore digitale/prepolariz bipolare, BRT, singolo PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 14 settimana/e
Avvisami non appena disponibile
| Quantità | |
|---|---|
| 3000+ | € 0,0218 |
| 9000+ | € 0,0209 |
Prezzo per:Unità, fornito in bobina completa
Minimo: 3000
Più: 3000
€ 65,40 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreMMUN2133LT1G
Codice Prodotto2317905
Datasheet tecnico
Polarità Transistorsingolo PNP
Tensione collettore-emettitore max NPN-
Tensione collettore-emettitore max PNP50V
Corrente di Collettore continua100mA
Resistore R1 di Ingresso Base4.7kohm
Resistore base-emettitore (R2)47kohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Numero di Pin3 Pin
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Dissipazione di potenza400mW
Temperatura di esercizio max150°C
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo80hFE
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
MMUN2133LT1G è un transistore digitale bipolare PNP progettato per sostituire un dispositivo singolo e la sua rete di bias di resistori esterni. Il Bias Resistor Transistor (BRT) è costituito da un transistore singolo con una rete di bias monolitica formata da due resistori, un resistore serie base e un resistore base emettitore. Il BRT elimina questi componenti individuali e li integra in un unico dispositivo.
- Semplifica la progettazione dei circuiti
- Riduce lo spazio occupato sulla scheda
- Riduce il numero dei componenti
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
singolo PNP
Tensione collettore-emettitore max PNP
50V
Resistore R1 di Ingresso Base
4.7kohm
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Temperatura di esercizio max
150°C
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Tensione collettore-emettitore max NPN
-
Corrente di Collettore continua
100mA
Resistore base-emettitore (R2)
47kohm
Numero di Pin
3 Pin
Dissipazione di potenza
400mW
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo
80hFE
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Alternative per MMUN2133LT1G
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00003
Tracciabilità del prodotto