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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreMMSD301T1G
Codice Prodotto2463432
Gamma ProdottiMMSD3
Datasheet tecnico
Configurazione Diodosingolo
Tensione inversa30V
Corrente diretta200mA
Tensione Diretta600mV
Capacità elettrica del diodo0.9pF
Tipo di Case del DiodoSOD-123
Numero di Pin2 Pin
Montaggio del diodomontaggio superficiale
Temperatura di esercizio max125°C
Gamma di prodottiMMSD3
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The MMSD301T1G is a Schottky Barrier Diode designed for high-efficiency UHF and VHF detector applications. It is readily available to many other fast switching RF and digital applications.
- Extremely low minority carrier lifetime
- Very low capacitance
- Low reverse leakage
- -55 to 125°C Operating junction temperature range
Specifiche tecniche
Configurazione Diodo
singolo
Corrente diretta
200mA
Capacità elettrica del diodo
0.9pF
Numero di Pin
2 Pin
Temperatura di esercizio max
125°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensione inversa
30V
Tensione Diretta
600mV
Tipo di Case del Diodo
SOD-123
Montaggio del diodo
montaggio superficiale
Gamma di prodotti
MMSD3
Documenti tecnici (2)
Alternative per MMSD301T1G
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00001
Tracciabilità del prodotto