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MMBTA64LT1G
transistore Darlington, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreMMBTA64LT1G
Codice Prodotto2464053
Polarità TransistorPNP
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo30V
Dissipazione di Potenza Pd225mW
Corrente di Collettore CC500mA
Case Transistor RFSOT-23
Numero di pin3Pin
Guadagno di Corrente CC hFE20000hFE
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
PNP
Dissipazione di Potenza Pd
225mW
Case Transistor RF
SOT-23
Guadagno di Corrente CC hFE
20000hFE
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
30V
Corrente di Collettore CC
500mA
Numero di pin
3Pin
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000033
Tracciabilità del prodotto