Stampa pagina
MMBF5103
Transistore JFET, 40 V, 40 mA, -2.7 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
95 675 A Stock
Ti serve altro?
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 0,116 |
| 500+ | € 0,110 |
| 1000+ | € 0,107 |
| 5000+ | € 0,0749 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 5
€ 16,60 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreMMBF5103
Codice Prodotto2454011RL
Datasheet tecnico
Tensione di Rottura Vbr40V
Massima tensione di rottura Gate-Source40V
Corrente Drain Min a Tensione Gate Nulla Idss10mA
Massima corrente di drain a tensione di gate zero40mA
Massima tensione di cutoff Gate-Source-2.7V
Stile di Case del TransistorSOT-23
Numero di Pin3 Pin
Tipo di TransistorCommutazione
Temperatura di esercizio max150°C
Tipo di canalecanale N
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
MMBF5103 è un JFET a canale N pensato per la commutazione analogica a basso livello, i circuiti sample and hold e gli amplificatori con stabilizzazione chopper.
- Tensione drain-gate: 40V
- Tensione gate-source: -40V
- Corrente di gate diretta: 50mA
Avvertenze
La domanda del mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna, le date di consegna possono variare.
Specifiche tecniche
Tensione di Rottura Vbr
40V
Corrente Drain Min a Tensione Gate Nulla Idss
10mA
Massima tensione di cutoff Gate-Source
-2.7V
Numero di Pin
3 Pin
Temperatura di esercizio max
150°C
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Qualificazioni
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Massima tensione di rottura Gate-Source
40V
Massima corrente di drain a tensione di gate zero
40mA
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tipo di Transistor
Commutazione
Tipo di canale
canale N
Gamma di prodotti
-
Standard di Qualifica Automotive
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000018
Tracciabilità del prodotto