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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreMMBD301LT1G
Codice Prodotto2463431RL
Gamma ProdottiMMBD3
Datasheet tecnico
Configurazione Diodosingolo
Tensione inversa30V
Corrente diretta200mA
Tensione Diretta450mV
Capacità elettrica del diodo0.9pF
Tipo di Case del DiodoSOT-23
Numero di Pin3 Pin
Montaggio del diodomontaggio superficiale
Temperatura di esercizio max125°C
Gamma di prodottiMMBD3
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The MMBD301LT1G is a Silicon Hot-carrier Detector and Switching Diode designed primarily for high-efficiency UHF and VHF detector applications. It is readily adaptable to many other fast switching RF and digital applications.
- 15ps Extremely low minority carrier lifetime
- 1.5pF at VR=15V Maximum very low capacitance
- 13nA DC Low reverse leakage IR
- -55 to 125°C Operating junction temperature range
Specifiche tecniche
Configurazione Diodo
singolo
Corrente diretta
200mA
Capacità elettrica del diodo
0.9pF
Numero di Pin
3 Pin
Temperatura di esercizio max
125°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensione inversa
30V
Tensione Diretta
450mV
Tipo di Case del Diodo
SOT-23
Montaggio del diodo
montaggio superficiale
Gamma di prodotti
MMBD3
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000033
Tracciabilità del prodotto