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MJE5730G
Transistore singolo bipolare (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, foro passante (THT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreMJE5730G
Codice Prodotto2845312
Datasheet tecnico
Polarità TransistorPNP
Massima tensione Collettore-Emettitore300V
Corrente di Collettore continua1A
Dissipazione di potenza40W
Stile di Case del TransistorTO-220
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Numero di pin3Pin
Frequenza di transizione10MHz
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo10hFE
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
PNP
Corrente di Collettore continua
1A
Stile di Case del Transistor
TO-220
Numero di pin
3Pin
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo
10hFE
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Massima tensione Collettore-Emettitore
300V
Dissipazione di potenza
40W
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Frequenza di transizione
10MHz
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002041
Tracciabilità del prodotto