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MJD6039T4G
transistore Darlington, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreMJD6039T4G
Codice Prodotto2774792RL
Datasheet tecnico
Polarità TransistorNPN
Massima tensione Collettore-Emettitore80V
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo80V
Corrente di Collettore continua4A
Dissipazione di Potenza Pd20W
Dissipazione di potenza20W
Corrente di Collettore CC4A
Case Transistor RFTO-252 (DPAK)
Numero di pin3Pin
Guadagno di Corrente CC hFE2500hFE
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Temperatura di esercizio max150°C
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo1000hFE
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
NPN
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
80V
Dissipazione di Potenza Pd
20W
Corrente di Collettore CC
4A
Numero di pin
3Pin
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo
1000hFE
Qualificazioni
-
Massima tensione Collettore-Emettitore
80V
Corrente di Collettore continua
4A
Dissipazione di potenza
20W
Case Transistor RF
TO-252 (DPAK)
Guadagno di Corrente CC hFE
2500hFE
Temperatura di esercizio max
150°C
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000426
Tracciabilità del prodotto