Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
683 A Stock
600 Puoi prenotare le disponibilità ora
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
Quantità | |
---|---|
1+ | € 1,960 |
10+ | € 0,885 |
100+ | € 0,848 |
500+ | € 0,748 |
1000+ | € 0,625 |
5000+ | € 0,596 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 1,96 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreMJB44H11G
Codice Prodotto2535625
Datasheet tecnico
Polarità TransistorNPN
Massima tensione Collettore-Emettitore80V
Corrente di Collettore continua10A
Dissipazione di potenza50W
Stile di Case del TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Numero di pin3Pin
Frequenza di transizione50MHz
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo40hFE
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The MJB44H11G is a 80V NPN complementary Power Transistor designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
- Low collector to emitter saturation voltage (VCE (sat) = 1V maximum at 8A)
- Fast switching speeds
- Complementary pairs simplifies designs
- ESD rating - 3B <gt/> 8000V human body model, C <gt/> 400V machine model
- 5V Emitter to base voltage (VEBO)
- 2.5°C/W Thermal resistance, junction to case
- 7.5°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
NPN
Corrente di Collettore continua
10A
Stile di Case del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Numero di pin
3Pin
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo
40hFE
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Massima tensione Collettore-Emettitore
80V
Dissipazione di potenza
50W
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Frequenza di transizione
50MHz
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Alternative per MJB44H11G
2 prodotti trovati
Prodotti associati
3 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00229
Tracciabilità del prodotto