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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreMJ11028G
Codice Prodotto2845302
Datasheet tecnico
Polarità TransistorNPN
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo60V
Dissipazione di Potenza Pd300W
Corrente di Collettore CC50A
Case Transistor RFTO-204
Numero di pin2Pin
Guadagno di Corrente CC hFE18hFE
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Temperatura di esercizio max200°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The MJ11028G is an NPN Complementary Silicon Darlington Power Transistor for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. This transistor features monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
- High DC current gain
- Diode protection to rated IC
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
NPN
Dissipazione di Potenza Pd
300W
Case Transistor RF
TO-204
Guadagno di Corrente CC hFE
18hFE
Temperatura di esercizio max
200°C
Qualificazioni
-
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
60V
Corrente di Collettore CC
50A
Numero di pin
2Pin
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Mexico
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Mexico
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.014991
Tracciabilità del prodotto