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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreMJ11016G
Codice Prodotto9556583
Datasheet tecnico
Polarità TransistorNPN
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo120V
Dissipazione di Potenza Pd200W
Corrente di Collettore CC30A
Case Transistor RFTO-3
Numero di pin2Pin
Guadagno di Corrente CC hFE200hFE
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Temperatura di esercizio max200°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The MJ11016G is a 120V Silicon NPN Bipolar Darlington Power Transistor designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. The transistor has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
- High DC current gain
- Collector-base voltage (Vcbo = 120V)
- Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
NPN
Dissipazione di Potenza Pd
200W
Case Transistor RF
TO-3
Guadagno di Corrente CC hFE
200hFE
Temperatura di esercizio max
200°C
Qualificazioni
-
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
120V
Corrente di Collettore CC
30A
Numero di pin
2Pin
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Mexico
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Mexico
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.011793