MICROFJ-30035-TSV-TR1

I sensori a bassa luminosità ON Semiconductor di serie J vantano un’alta PDE (efficienza di rilevamento fotonico) ottenuta grazie a un processo di fusione del silicio P su N ad alto volume. I sensori J-Series incorporano miglioramenti fondamentali nello spread del tempo di transito, il che risulta in un miglioramento significativo delle performance di tempo del sensore. Questi prodotti sono disponibili in diverse misure (3 mm, 4 mm e 6 mm) e usano un processo TSV (Through Silicon Via) per creare un package con spazio inutilizzato minimo e compatibile con i processi di saldatura di reflow senza piombo standard.

• Microcelle ad alta densità
• I sensori di serie J sono dotati del terminale speciale con "fast output" ON Semiconductor
• Stabilità in temperatura: 21.5 mV/°C
• Uniformità di tensione di rottura eccezionale: ±250 mV
• Disponibile in un package in scala chip TSV compatibile con saldatura di reflow
• Conteggi di buio ultra bassi, tipicamente di 50 kHz/mm2
• Ottimizzato per applicazioni di temporizzazione ad alta prestazione, come ToF-PET
• Tensione di bias inferiore a 30V
• Misure di sensore: 3 mm, 4 mm e 6 mm