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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreMBRAF3200T3G
Codice Prodotto2824888RL
Datasheet tecnico
Tensione inversa di picco ripetitiva200V
Corrente diretta media3A
Configurazione Diodosingolo
Tipo di Case del DiodoSMAF
Numero di pin2Pin
Tensione diretta massima840mV
Sovracorrente Diretta100A
Temperatura di esercizio max150°C
Montaggio del diodomontaggio superficiale
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Tensione inversa di picco ripetitiva
200V
Configurazione Diodo
singolo
Numero di pin
2Pin
Sovracorrente Diretta
100A
Montaggio del diodo
montaggio superficiale
Qualificazioni
AEC-Q101
Corrente diretta media
3A
Tipo di Case del Diodo
SMAF
Tensione diretta massima
840mV
Temperatura di esercizio max
150°C
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000091
Tracciabilità del prodotto