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| 15000+ | € 0,105 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
MBRA120ET3G è un raddrizzatore di potenza Schottky SMT con case stampato in materiale epossidico. Applica sul principio della barriera Schottky in un raddrizzatore di potenza da metallo a silicio. Presenta una costruzione epitassiale con passivazione degli ossidi e contatto rivestito metallico. È pensato appositamente per gli alimentatori switching ad alta frequenza e bassa tensione, per i diodi free-wheeling e per i diodi di protezione dalla polarità.
- La banda della polarità indica il conduttore catodico
- Tutte le superfici esterne sono resistenti alla corrosione
- Package compatto con conduttori a J ideale per la manipolazione automatica
- Giunzione passivata ad ossido altamente stabile
- Anello di sicurezza per protezione dalla sovratensione
- Ottimizzato per la bassa corrente di dispersione
- Qualificato AEC-Q101 e capace di PPAP
- Classe di infiammabilità: UL94V-0
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
20V
singolo
2Pin
40A
montaggio superficiale
AEC-Q101
1A
DO-214AC (SMA)
530mV
150°C
MBRA1
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto