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HUF75545S3ST
MOSFET di potenza, canale N, 80 V, 75 A, 0.0082 ohm, TO-263AB, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
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| 500+ | € 1,740 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreHUF75545S3ST
Codice Prodotto2454177RL
Datasheet tecnico
Polarità Transistorcanale N
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds80V
Corrente Continua di Drain Id75A
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.0082ohm
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0082ohm
Stile di Case del TransistorTO-263AB
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di Potenza Pd270W
Dissipazione di potenza270W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
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Specifiche tecniche
Polarità Transistor
canale N
Tensione Drain Source Vds
80V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.0082ohm
Stile di Case del Transistor
TO-263AB
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di Potenza Pd
270W
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Standard di Qualifica Automotive
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
75A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0082ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Dissipazione di potenza
270W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001312
Tracciabilità del prodotto