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HGTG5N120BND
IGBT, 21 A, 2.7 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreHGTG5N120BND
Codice Prodotto1505138
Datasheet tecnico
Corrente di collettore continua21A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore2.7V
Dissipazione di potenza167W
Massima tensione Collettore-Emettitore1.2kV
Stile di Case del TransistorTO-247
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Gamma di prodotti-
Specifiche tecniche
Corrente di collettore continua
21A
Dissipazione di potenza
167W
Stile di Case del Transistor
TO-247
Temperatura di esercizio max
150°C
Gamma di prodotti
-
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
2.7V
Massima tensione Collettore-Emettitore
1.2kV
Numero di pin
3Pin
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00001