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HGTD1N120BNS9A
IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreHGTD1N120BNS9A
Codice Prodotto2453921
Datasheet tecnico
Corrente di collettore continua5.3A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore2.5V
Dissipazione di potenza60W
Massima tensione Collettore-Emettitore1.2kV
Stile di Case del TransistorTO-252AA
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The HGTD1N120BNS9A is a N-channel Non-punch Through (NPT) IGBT ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS and solar inverter. It is new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. It combines the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor.
- Short-circuit rating
- Avalanche rated
- 2.5V @ IC = 1A Low saturation voltage
- 258ns Fall time @ TJ = 150°C
- 298W Total power dissipation @ TC = 25°C
Avvertenze
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Specifiche tecniche
Corrente di collettore continua
5.3A
Dissipazione di potenza
60W
Stile di Case del Transistor
TO-252AA
Temperatura di esercizio max
150°C
Gamma di prodotti
-
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
2.5V
Massima tensione Collettore-Emettitore
1.2kV
Numero di pin
3Pin
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (3)
Prodotti associati
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00026
Tracciabilità del prodotto