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FQT7N10LTF
MOSFET di potenza, canale N, 100 V, 1.7 A, 0.35 ohm, SOT-223, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFQT7N10LTF
Codice Prodotto2101412RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id1.7A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.35ohm
Stile di Case del TransistorSOT-223
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2V
Dissipazione di potenza2W
Numero di pin4Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
FQT7N10LTF è un MOSFET di potenza a canale N ad arricchimento prodotto con la tecnologia DMOS e a striscia planare. Questa tecnologia MOSFET avanzata è stata pensata su misura per ridurre la resistenza in stato di conduzione (RdsON) e fornire prestazioni di commutazione superiori e alta resistenza all'energia di valanga. Si presta all'uso con gli alimentatori SMPS, amplificatori audio e nelle applicazioni di alimentazione switching variabile.
- 100% testato per valanga
- Bassa carica di gate tipica: 5.8nC
- Capacità di trasferimento inversa (Crss) tipica ridotta: 10pF
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
1.7A
Stile di Case del Transistor
SOT-223
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
2W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.35ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2V
Numero di pin
4Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (2)
Alternative per FQT7N10LTF
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000124
Tracciabilità del prodotto