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FQP8N90C
MOSFET di potenza, canale N, 900 V, 6.3 A, 1.9 ohm, TO-220, foro passante (THT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFQP8N90C
Codice Prodotto3616247
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds900V
Corrente Continua di Drain Id6.3A
Resistenza Drain-Source in conduzione1.9ohm
Stile di Case del TransistorTO-220
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima5V
Dissipazione di potenza171W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
6.3A
Stile di Case del Transistor
TO-220
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
171W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
900V
Resistenza Drain-Source in conduzione
1.9ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
5V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.1
Tracciabilità del prodotto