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FQP11N40C
MOSFET di potenza, canale N, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220AB, foro passante (THT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFQP11N40C
Codice Prodotto2453436
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds400V
Corrente Continua di Drain Id10.5A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.43ohm
Stile di Case del TransistorTO-220AB
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza135W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
FQP11N40C è un MOSFET di potenza QFET® a canale N ad arricchimento prodotto con la tecnologia di transistor DMOS e a striscia planare. Questa tecnologia MOSFET avanzata è stata pensata su misura per ridurre la resistenza in stato di conduzione (RdsON) e fornire prestazioni di commutazione superiori e alta resistenza all'energia di valanga. È adatto per alimentatori con regolatore switching, circuiti PFC attivi e reattori ballast elettronici per lampade.
- 100% testato per valanga
- Bassa carica di gate tipica: 28nC
- Capacità di trasferimento inversa (Crss) tipica ridotta: 85pF
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
10.5A
Stile di Case del Transistor
TO-220AB
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
135W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
400V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.43ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per FQP11N40C
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.036287
Tracciabilità del prodotto