FQD8P10TM
MOSFET di potenza, canale P, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252AA, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 5+ | € 0,891 |
| 50+ | € 0,673 |
| 100+ | € 0,459 |
| 500+ | € 0,384 |
| 1000+ | € 0,326 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
FQD8P10TM è un MOSFET di potenza QFET® a canale P ad arricchimento prodotto con la tecnologia di transistor DMOS e a striscia planare. Questa tecnologia MOSFET avanzata è stata pensata su misura per ridurre la resistenza in stato di conduzione (RdsON) e fornire prestazioni di commutazione superiori e alta resistenza all'energia di valanga. Si presta all'uso con gli alimentatori SMPS, amplificatori audio e nelle applicazioni di alimentazione switching variabile.
- 100% testato per valanga
- Bassa carica di gate tipica: 12nC
- Capacità di trasferimento inversa (Crss) tipica ridotta: 30pF
Avvertenze
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Specifiche tecniche
canale P
6.6A
TO-252AA
10V
44W
150°C
-
100V
0.53ohm
montaggio superficiale (SMT)
4V
3Pin
-
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Alternative per FQD8P10TM
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto