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FQD7N10LTM
MOSFET di potenza, canale N, 100 V, 5.8 A, 0.275 ohm, TO-252AA, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFQD7N10LTM
Codice Prodotto2453435
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id5.8A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.275ohm
Stile di Case del TransistorTO-252AA
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2V
Dissipazione di potenza25W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Alternative per FQD7N10LTM
1 prodotto trovato
Panoramica del prodotto
FQD7N10LTM è un MOSFET di potenza QFET® a canale N ad arricchimento prodotto con la tecnologia di transistor DMOS e a striscia planare. Questa tecnologia MOSFET avanzata è stata pensata su misura per ridurre la resistenza in stato di conduzione (RdsON) e fornire prestazioni di commutazione superiori e alta resistenza all'energia di valanga. È adatto per alimentatori con regolatore switching, circuiti PFC attivi e reattori ballast elettronici per lampade.
- 100% testato per valanga
- Bassa carica di gate tipica: 4.6nC
- Capacità di trasferimento inversa (Crss) tipica ridotta: 12pF
Avvertenze
La domanda di mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna. Le date di consegna potrebbero variare. Prodotto esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
5.8A
Stile di Case del Transistor
TO-252AA
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
25W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.275ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000557