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FQD7N10LTM

MOSFET di potenza, canale N, 100 V, 5.8 A, 0.275 ohm, TO-252AA, montaggio superficiale (SMT)

ONSEMI FQD7N10LTM

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Produttore
ONSEMI ONSEMI
Cod. produttore:
FQD7N10LTM
Codice Prodotto
2453435
Datasheet tecnico:
FQD7N10LTM   Datasheet
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Panoramica del prodotto

The FQD7N10LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
  • 100% avalanche tested
  • 4.6nC typical low gate charge
  • 12pF typical low Crss

Avvertenze

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Informazioni sui prodotti

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:
canale N

:
100V

:
5.8A

:
0.275ohm

:
TO-252AA

:
montaggio superficiale (SMT)

:
10V

:
2V

:
25W

:
3Pin

:
150°C

:
-

:
-

:
MSL 1 - Non Limitata
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Termini e condizioni

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