Stampa pagina
FQD6N40CTM
MOSFET di potenza, canale N, 400 V, 4.5 A, 0.83 ohm, TO-252 (DPAK), montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
5 767 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 1,160 |
| 10+ | € 0,864 |
| 100+ | € 0,665 |
| 500+ | € 0,591 |
| 1000+ | € 0,545 |
| 5000+ | € 0,512 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 1,16 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFQD6N40CTM
Codice Prodotto2322630
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds400V
Corrente Continua di Drain Id4.5A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.83ohm
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2V
Dissipazione di potenza48W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
FQD6N40CTM è un MOSFET di potenza QFET® a canale N ad arricchimento prodotto con la tecnologia di transistor DMOS e a striscia planare. Questa tecnologia MOSFET avanzata è stata pensata su misura per ridurre la resistenza in stato di conduzione (RdsON) e fornire prestazioni di commutazione superiori e alta resistenza all'energia di valanga. È adatto per alimentatori con regolatore switching, circuiti PFC attivi e reattori ballast elettronici per lampade.
- 100% testato per valanga
- Bassa carica di gate tipica: 16nC
- Capacità di trasferimento inversa (Crss) tipica ridotta: 15pF
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
4.5A
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
48W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
400V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.83ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.01
Tracciabilità del prodotto