Stampa pagina
FQD13N06LTM
MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 11 A, 0.092 ohm, TO-252AA, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
3 332 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 0,421 |
| 500+ | € 0,330 |
| 1000+ | € 0,295 |
| 5000+ | € 0,236 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
€ 47,10 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFQD13N06LTM
Codice Prodotto2454166RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Polarità Transistorcanale N
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id11A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.092ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.092ohm
Stile di Case del TransistorTO-252AA
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.5V
Dissipazione di Potenza Pd28W
Dissipazione di potenza28W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The FQD13N06LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET is produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
- Low level gate drive requirements allowing direct operation form logic drivers
- 100% avalanche tested
- 4.8nC typical low gate charge
- 17pF typical low Crss
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.092ohm
Stile di Case del Transistor
TO-252AA
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di Potenza Pd
28W
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Standard di Qualifica Automotive
-
Polarità Transistor
canale N
Corrente Continua di Drain Id
11A
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.092ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.5V
Dissipazione di potenza
28W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Alternative per FQD13N06LTM
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00026
Tracciabilità del prodotto