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FQA8N100C
MOSFET di potenza, canale N, 1 kV, 8 A, 1.2 ohm, TO-3PN, foro passante (THT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFQA8N100C
Codice Prodotto2453888
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds1kV
Corrente Continua di Drain Id8A
Resistenza Drain-Source in conduzione1.2ohm
Stile di Case del TransistorTO-3PN
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima5V
Dissipazione di potenza225W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The FQA8N100C is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- Low gate charge (53nC)
- Low Crss (16pF)
- 100% avalanche tested
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
8A
Stile di Case del Transistor
TO-3PN
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
225W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
1kV
Resistenza Drain-Source in conduzione
1.2ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
5V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.006401
Tracciabilità del prodotto