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FQA70N10
MOSFET di potenza, scopi generici, canale N, 100 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3P, foro passante (THT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFQA70N10
Codice Prodotto9846085
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id70A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.023ohm
Stile di Case del TransistorTO-3P
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza214W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
FQA70N10 è un MOSFET di potenza a canale N ad arricchimento prodotto con la tecnologia DMOS e a striscia planare. Questa tecnologia MOSFET avanzata è stata pensata su misura per ridurre la resistenza in stato di conduzione (RdsON) e fornire prestazioni di commutazione superiori e alta resistenza all'energia di valanga. Si presta all'uso con gli alimentatori SMPS, amplificatori audio e nelle applicazioni di alimentazione switching variabile.
- 100% testato per valanga
- Bassa carica di gate tipica: 85nC
- Capacità di trasferimento inversa (Crss) tipica ridotta: 150pF
Avvertenze
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Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
70A
Stile di Case del Transistor
TO-3P
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
214W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.023ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.006
Tracciabilità del prodotto