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FGY100T65SCDT
IGBT, 200 A, 1.5 V, 750 W, 650 V, TO-247, 3 Pin
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFGY100T65SCDT
Codice Prodotto3615798
Datasheet tecnico
Corrente di collettore continua200A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore1.5V
Dissipazione di potenza750W
Massima tensione Collettore-Emettitore650V
Stile di Case del TransistorTO-247
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Specifiche tecniche
Corrente di collettore continua
200A
Dissipazione di potenza
750W
Stile di Case del Transistor
TO-247
Temperatura di esercizio max
175°C
Gamma di prodotti
-
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
1.5V
Massima tensione Collettore-Emettitore
650V
Numero di pin
3Pin
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:No
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:No
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.1