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FGD5T120SH
IGBT, Trench FS, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFGD5T120SH
Codice Prodotto2565212RL
Datasheet tecnico
Corrente di collettore continua10A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore2.9V
Dissipazione di potenza69W
Massima tensione Collettore-Emettitore1.2kV
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
- 1200V, 5A FS trench technology IGBT
- Positive temperature coefficient
- High speed switching
- Low saturation voltage: VCE(sat) = 2.9V at Ic=5A
- High input impedance
- Suitable for inrush current limitation, lighting and home appliances
Specifiche tecniche
Corrente di collettore continua
10A
Dissipazione di potenza
69W
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Temperatura di esercizio max
150°C
Gamma di prodotti
-
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
2.9V
Massima tensione Collettore-Emettitore
1.2kV
Numero di pin
3Pin
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
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Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85334010
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000907
Tracciabilità del prodotto