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FGB7N60UNDF
IGBT, 14 A, 1.9 V, 83 W, 600 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFGB7N60UNDF
Codice Prodotto3615751
Datasheet tecnico
Corrente di collettore continua14A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore1.9V
Dissipazione di potenza83W
Massima tensione Collettore-Emettitore600V
Stile di Case del TransistorTO-263AB (D2PAK)
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Specifiche tecniche
Corrente di collettore continua
14A
Dissipazione di potenza
83W
Stile di Case del Transistor
TO-263AB (D2PAK)
Temperatura di esercizio max
150°C
Gamma di prodotti
-
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
1.9V
Massima tensione Collettore-Emettitore
600V
Numero di pin
3Pin
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:No
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:No
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.1