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FGB40T65SPD-F085
IGBT, Canale N, 80 A, 2 V, 267 W, 650 V, TO-263AB, 3 Pin
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2 984 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFGB40T65SPD-F085
Codice Prodotto2748777
Datasheet tecnico
Corrente di collettore continua80A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore2V
Dissipazione di potenza267W
Massima tensione Collettore-Emettitore650V
Stile di Case del TransistorTO-263AB
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
Avvertenze
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Specifiche tecniche
Corrente di collettore continua
80A
Dissipazione di potenza
267W
Stile di Case del Transistor
TO-263AB
Temperatura di esercizio max
175°C
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
2V
Massima tensione Collettore-Emettitore
650V
Numero di pin
3Pin
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001
Tracciabilità del prodotto