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FGA60N65SMD
IGBT, 120 A, 1.9 V, 600 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFGA60N65SMD
Codice Prodotto2825136
Datasheet tecnico
Corrente di collettore continua120A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore1.9V
Dissipazione di potenza600W
Massima tensione Collettore-Emettitore650V
Stile di Case del TransistorTO-3PN
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Gamma di prodotti-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Corrente di collettore continua
120A
Dissipazione di potenza
600W
Stile di Case del Transistor
TO-3PN
Temperatura di esercizio max
175°C
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
1.9V
Massima tensione Collettore-Emettitore
650V
Numero di pin
3Pin
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.007439
Tracciabilità del prodotto