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FGA50T65SHD
IGBT, 100 A, 1.6 V, 319 W, 650 V, TO-3PL, 3 Pin
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFGA50T65SHD
Codice Prodotto3615736
Datasheet tecnico
Corrente di collettore continua100A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore1.6V
Dissipazione di potenza319W
Massima tensione Collettore-Emettitore650V
Stile di Case del TransistorTO-3PL
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Panoramica del prodotto
Avvertenze
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Specifiche tecniche
Corrente di collettore continua
100A
Dissipazione di potenza
319W
Stile di Case del Transistor
TO-3PL
Temperatura di esercizio max
175°C
Gamma di prodotti
-
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
1.6V
Massima tensione Collettore-Emettitore
650V
Numero di pin
3Pin
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.1
Tracciabilità del prodotto