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FGA40T65SHDF
IGBT, 80 A, 1.45 V, 268 W, 650 V, TO-3PL, 3 Pin
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFGA40T65SHDF
Codice Prodotto3615731
Datasheet tecnico
Corrente di collettore continua80A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore1.45V
Dissipazione di potenza268W
Massima tensione Collettore-Emettitore650V
Stile di Case del TransistorTO-3PL
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Specifiche tecniche
Corrente di collettore continua
80A
Dissipazione di potenza
268W
Stile di Case del Transistor
TO-3PL
Temperatura di esercizio max
175°C
Gamma di prodotti
-
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
1.45V
Massima tensione Collettore-Emettitore
650V
Numero di pin
3Pin
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.1
Tracciabilità del prodotto