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FFSM0865A
Diodo Schottky al carburo di silicio, EliteSiC, singolo, doppio anodo, 650 V, 9.6 A, 27 nC, PQFN
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFFSM0865A
Codice Prodotto3607863
Datasheet tecnico
Gamma di prodotti-
Configurazione Diodosingolo, doppio anodo
Tensione inversa di picco ripetitiva650V
Corrente diretta media9.6A
Carica Qc capacitiva totale27nC
Tipo di Case del DiodoPQFN
Numero di Pin4 Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Montaggio del diodomontaggio superficiale
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Panoramica del prodotto
Avvertenze
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Specifiche tecniche
Gamma di prodotti
-
Tensione inversa di picco ripetitiva
650V
Carica Qc capacitiva totale
27nC
Numero di Pin
4 Pin
Montaggio del diodo
montaggio superficiale
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Configurazione Diodo
singolo, doppio anodo
Corrente diretta media
9.6A
Tipo di Case del Diodo
PQFN
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.1
Tracciabilità del prodotto