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FFSD2065B
Diodo Schottky al carburo di silicio, EliteSiC, EliteSiC Series, singolo, 650 V, 20 A, 51 nC
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ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFFSD2065B
Codice Prodotto3463934RL
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFFSD2065B
Codice Prodotto3463934RL
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
Gamma di prodottiEliteSiC Series
Configurazione Diodosingolo
Tensione inversa di picco ripetitiva650V
Corrente diretta media20A
Carica Qc capacitiva totale51nC
Tipo di Case del DiodoTO-252 (DPAK)
Numero di Pin3 Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Montaggio del diodomontaggio superficiale
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Gamma di prodotti
EliteSiC Series
Tensione inversa di picco ripetitiva
650V
Carica Qc capacitiva totale
51nC
Numero di Pin
3 Pin
Montaggio del diodo
montaggio superficiale
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Configurazione Diodo
singolo
Corrente diretta media
20A
Tipo di Case del Diodo
TO-252 (DPAK)
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0004
Tracciabilità del prodotto