FFSD08120A

I diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) sfruttano una tecnologia completamente nuova che offre prestazioni di commutazione superiori e un’affidabilità più elevata rispetto al silicio. L’assenza di corrente di recupero inversa, le caratteristiche di commutazione indipendenti dalla temperatura e le performance termiche eccellenti fissano il carburo di silicio come la prossima generazione di semiconduttori di potenza. I benefici del sistema includono un’altissima efficienza, una frequenza operativa più rapida, maggiore densità di potenza, EMI ridotte e costi/dimensioni di sistema inferiori.

• Temperatura di giunzione massima 175°C
• Qualificato AEC−Q101
• Valanga a 200 mJ
• No recupero inverso/No recupero diretto
• Facilità di messa in parallelo
• Alta capacità di sbalzo di corrente
• Coefficiente di temperatura positivo