FDS6681Z

FDS6681Z è un MOSFET PowerTrench® a canale P di -30V progettato appositamente per ridurre al minimo la resistenza in stato ON e mantenere una carica di gate bassa per performance di commutazione superiori. L'ultimissimo MOSFET di potenza a media tensione è composto da interruttori di potenza ottimizzati che uniscono una carica di gate ridotta (QG), carica di recupero inverso (Qrr) ridotta e un diodo di body con basso recupero inverso, che contribuisce a una commutazione rapida per la rettifica simultanea negli alimentatori AC/DC. Fa uso di una struttura a gate schermato che assicura l'equilibrio della carica. Con questa tecnologia avanzata, il FOM (cifra di merito (QGxRDS(ON))) di questi dispositivi è del 66% più basso di quello della generazione precedente. Il nuovo MOSFET PowerTrench®, con le sue prestazioni da diodo soft body, è in grado di eliminare gli snubber o sostituire i circuiti che richiedono MOSFET con tensioni nominali più alte perché può minimizzare i picchi di tensione indesiderati nei raddrizzamenti sincroni. Questo prodotto è destinato ad usi generali ed è adatto a molte applicazioni diverse.

• Range di VGSS esteso (-25V) per applicazioni a batteria
• Livello di protezione HBM anti scariche elettrostatiche: ±3,8kV tipico
• Tecnologia Trench ad alte prestazioni per RDS (ON) estremamente bassa
• Capacità di tenuta di corrente e potenza elevate

Avvertenze

La domanda di mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna. Le date di consegna potrebbero variare. Prodotto esente da sconti.